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拓荊科技的出現(xiàn)，拓出了一條令人矚目的國(guó)產(chǎn)化之路。

在高端半導(dǎo)體制造中，薄膜沉積設(shè)備、光刻設(shè)備、刻蝕設(shè)備共同構(gòu)成了芯片制造三大核心設(shè)備。其中，薄膜沉積設(shè)備常年占據(jù)晶圓制造設(shè)備市場(chǎng)五分之一以上的市場(chǎng)份額，但該行業(yè)呈現(xiàn)壟斷競(jìng)爭(zhēng)的局面，市場(chǎng)長(zhǎng)期由國(guó)際巨頭把持。

拓荊科技的出現(xiàn)，在國(guó)際巨頭壟斷、荊棘密布的薄膜沉積設(shè)備市場(chǎng)上，拓出了一條令人矚目的國(guó)產(chǎn)化之路。拓荊科技董事長(zhǎng)呂光泉表示，2024年中國(guó)大陸薄膜沉積設(shè)備市場(chǎng)推算約為97億美元，其中公司覆蓋的產(chǎn)品市場(chǎng)規(guī)模約48.5億美元，而公司對(duì)應(yīng)產(chǎn)品收入41億元，市場(chǎng)份額占比約12%。

目前，拓荊科技主要從事PECVD（等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積）、ALD（原子層沉積）、Gap Fill（溝槽填充）等薄膜沉積設(shè)備的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用，可以支撐邏輯芯片、存儲(chǔ)芯片中所需的全部介質(zhì)薄膜材料約100多種工藝應(yīng)用。呂光泉認(rèn)為，拓荊科技的市場(chǎng)份額依然有較大提升空間。

不可否認(rèn)，在薄膜沉積設(shè)備領(lǐng)域，中外差距依然存在。呂光泉表示，在先進(jìn)技術(shù)方面，國(guó)產(chǎn)廠商相較海外龍頭而言，起步雖然相對(duì)較晚，面臨國(guó)際設(shè)備廠商的競(jìng)爭(zhēng)和挑戰(zhàn)，國(guó)產(chǎn)廠商通過(guò)自主創(chuàng)新不斷實(shí)現(xiàn)技術(shù)突破，展示出強(qiáng)勁的潛力。

從工藝覆蓋度、量產(chǎn)設(shè)備性能指標(biāo)來(lái)看，中國(guó)企業(yè)正迎頭趕上。呂光泉表示：“從技術(shù)水平來(lái)看，近年來(lái)中國(guó)大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅速，以公司為代表的廠商在薄膜沉積設(shè)備領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)持續(xù)突破和快速發(fā)展，工藝覆蓋度不斷提高，已量產(chǎn)設(shè)備性能指標(biāo)可達(dá)到國(guó)際同類設(shè)備先進(jìn)水平。”

這背后，是以拓荊科技為代表的企業(yè)持續(xù)進(jìn)行技術(shù)攻關(guān)，啃下一個(gè)個(gè)“硬骨頭”。拓荊科技先后承擔(dān)了11項(xiàng)國(guó)家重大專項(xiàng)或課題。截至2024年12月底，公司累計(jì)申請(qǐng)專利1640項(xiàng)（含PCT），獲得授權(quán)專利507項(xiàng)。通過(guò)自主研發(fā)，公司已形成一系列獨(dú)創(chuàng)性的設(shè)計(jì)，在半導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備領(lǐng)域積累了多項(xiàng)研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化的核心技術(shù)。

面向未來(lái)，當(dāng)“后摩爾時(shí)代”芯片制程持續(xù)縮小接近物理極限，更高的性能芯片就要通過(guò)新的芯片設(shè)計(jì)架構(gòu)和芯片堆疊方式來(lái)實(shí)現(xiàn)，由此催生了三維集成領(lǐng)域的半導(dǎo)體設(shè)備新需求。三維集成領(lǐng)域的產(chǎn)品有望成為拓荊科技業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)“新引擎”。目前，拓荊科技晶圓對(duì)晶圓混合鍵合設(shè)備等已經(jīng)獲得重復(fù)訂單并擴(kuò)大產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用，芯片對(duì)晶圓混合鍵合設(shè)備也實(shí)現(xiàn)出貨，同時(shí)，開發(fā)的配套檢測(cè)設(shè)備已實(shí)現(xiàn)了產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用。

“我們正提前布局往后兩代、三代產(chǎn)品的技術(shù)，現(xiàn)在公司70%的產(chǎn)品都是新工藝、先進(jìn)工藝所需要的。”呂光泉表示。

校對(duì)：冉燕青